隨著激光、離子束等技術(shù)發(fā)展，研究人員發(fā)明了多種工藝制備氧化物薄膜材料，而磁控濺射鍍膜技術(shù)由于其在大面積鍍膜以及性能參數(shù)易調(diào)控上的優(yōu)勢，成為了工業(yè)及實(shí)驗室鍍膜的主流方式。通過該技術(shù)可以制備出高性能氧化物薄膜，以達(dá)到液晶屏、觸摸屏、太陽能電池等領(lǐng)域的應(yīng)用要求。

在磁控濺射技術(shù)中，氧化物薄膜是通過電子與等離子體轟擊對應(yīng)氧化物靶材進(jìn)而在基片上沉積獲得［1］，因此薄膜各項性能與靶材質(zhì)量息息相關(guān)。相比于通過金屬靶材反應(yīng)沉積成膜，直接使用氧化物靶材能減少靶材中毒。氧化物靶材是陶瓷靶材的其中一種，隨著光電器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展成為了一種關(guān)鍵性基材，但業(yè)界對其形狀、組分等方面有嚴(yán)格的應(yīng)用 要求，靶材制備難度較大。近年來我國靶材產(chǎn)業(yè)化取得了很大進(jìn)展，并涌出了多家具有較強(qiáng)市場競爭力的靶材廠商，但在高端器件生產(chǎn)應(yīng)用方面與日本、德國等國相比，我國氧化物靶材產(chǎn)業(yè)仍然是一大短板。

目前，氧化物靶材制備以素坯成型、燒結(jié)兩大工藝為主體。本文以顯示行業(yè)氧化物靶材作為重點(diǎn)，結(jié)合實(shí)驗室研究與工業(yè)生產(chǎn)對靶材結(jié)構(gòu)、性能需求，對兩大工藝分別進(jìn)行分析，并對目前氧化物靶材的市場現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了總結(jié)。

1、氧化物靶材種類與結(jié)構(gòu)發(fā)展趨勢

濺射靶材的種類繁多，按照應(yīng)用領(lǐng)域可分為半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)，以及磁記錄、光記錄、顯示靶材等。

目前氧化物靶材主要集中在顯示靶材領(lǐng)域，是制備顯示面板中透明電極、半導(dǎo)體層與絕緣層的主要基材。隨著近年來中國新型顯示產(chǎn)業(yè)的市場競爭力不斷攀升，作為全球最大 TFT-LCD 顯示面板生產(chǎn)基地，氧化物靶材也成為了國內(nèi)的研究熱點(diǎn)。對于顯示面板領(lǐng)域，ITO、AZO 等靶材濺射得到的透明電極被產(chǎn)業(yè)界廣泛采用。利用 ZnO、IZO、IGZO 等靶 材 濺 射 得 到 的 薄 膜 可 用 于 TFT 有 源 層 ，在 LCD、OLED 等應(yīng)用中顯示出良好的性能。此外，華南理工大學(xué)還開發(fā)出了基于鑭系稀土的新型 Ln-IZO 靶材（圖 1），突破了國外傳統(tǒng) IGZO 材料體系的專利限制，制備出的 TFT 器件可滿足驅(qū)動 AMOLED 的要求。為了制備高性能氧化物薄膜，除濺射參數(shù)外，對于靶材自身也有需求，如高致密度、組織均勻、大尺寸及異形化。

2、氧化物靶材制備工藝

氧化物靶材的制備流程，通常包括粉體合成、素坯成型及燒結(jié)三部分（圖 2）。制備前期需要通過機(jī)械球磨、化學(xué)共沉淀等方法，將原材料化為細(xì)密的氧化物粉體，然后利用成型工藝制備出靶材素坯，再將素坯進(jìn)行燒結(jié)，最后得到靶材成品。

2.1 素坯成型

素坯的結(jié)構(gòu)密度是影響最終靶材致密程度的關(guān)鍵因素，而成型方式會在很大程度上決定了素坯的結(jié)構(gòu)、氣孔分布情況。最為便利的素坯成型方法為模壓成型［2］，即先在模具中放入氧化物粉末，然后壓制出相應(yīng)形狀的靶材素坯。然而，當(dāng)使用的壓力過大時坯體不易脫模，并且壓制時由于各方向壓力不均，制得的素坯容易產(chǎn)生局部開裂脫落。在模壓基 礎(chǔ)上使用冷等靜壓成型（CIP）方法可有效解決上述問題［3］，即將模壓成型后的素坯放在彈性橡膠套內(nèi)，隨后置于以不可壓縮流體填充的密閉容器中并對流體施加壓力，這樣則可將壓力均勻的傳遞至素坯，坯體不會受到剪切應(yīng)力及摩擦力的作用，故而制得不易開裂且更為致密的素坯。中南大學(xué)劉志宏等［4］發(fā)現(xiàn)，在冷等靜壓工藝中模壓大小會影響素坯密度（圖3），合適的模壓能減少素坯顆粒間的空隙，當(dāng)粉體在模壓 24 MPa 下預(yù)成型后，再在 250 MPa 下冷等靜壓，可以制得相對密度 59.3% 的素坯，最終經(jīng)燒結(jié)得到相對密度 99.1% 的 ITO 靶材。采用冷等靜壓法可以制備出高品質(zhì) AZO、ITO 及 IGZO 靶材的素坯［5-7］，經(jīng) 過 冷 等 靜 壓 處 理 后 的 素 坯 更 為 致 密 均勻［8-9］，但對于大尺寸靶材時良品率較低，由于受到腔室尺寸的限制，設(shè)備投資昂貴。

近年來，將粉體制成漿料后再成型的方法受到業(yè)界青睞［10-12］，該工藝稱為注漿成型。先將氧化物粉體與溶劑混合，再加入分散劑得到具有良好流動性的漿料，將漿料在一定壓力下注入到具有強(qiáng)吸水性的模具中，在其吸水作用下干燥固化得到靶材素坯。該工藝目前被日本日礦、日本東曹、韓國三星康寧等公司采用，使用該工藝生產(chǎn)的高密度 ITO 靶材 在國際市場占有率達(dá)到一半以上［13］。在注漿成型基礎(chǔ)上還發(fā)展出了凝膠注模［14-19］成型技術(shù)，并廣泛應(yīng)用于高致密陶瓷的制備（圖 4［20］）。該工藝同樣通過將粉體制備成良好流動性的漿料，隨后在其中加入有機(jī)單體，固化后成型。此過程中有機(jī)單體發(fā)生聚合反應(yīng)，使得漿料中的顆粒被固定并形成具有三維結(jié)構(gòu)的物質(zhì)，脫模后干燥并除去凝膠制備出均勻致密素坯。楊碩等［21］研究了凝膠注模成型工藝中漿料固相含量的適宜范圍發(fā)現(xiàn)，素坯密度隨固相含量提升而增大（圖 5—6），但是含量過高會導(dǎo)致漿料流動性變差，難以進(jìn)行澆注。在注漿成型和凝膠注模工藝中需要使用低黏度、無雜質(zhì)且穩(wěn)定的漿料，加上分散劑、粘結(jié)劑等添加劑進(jìn)行輔助，實(shí)際生產(chǎn)過程后期還需脫脂工藝以減少添加劑等雜質(zhì)殘留，這兩種工藝操作較為簡單、成本低，并且能夠滿足大尺寸及異形氧化物靶材的制備，適用范圍廣。

2.2 燒結(jié)工藝

素坯成型后需進(jìn)行燒結(jié) ，其中熱壓法（HotPressed Sintering）是最為傳統(tǒng)的氧化物靶材燒結(jié)工藝。熱壓法是利用熱能和機(jī)械能的共同作用，將氧化物粉末或素坯燒結(jié)致密化［2］。與素坯成型中的模壓法類似，熱壓法是單軸向加壓加熱的方式使坯體處于熱塑性狀態(tài)，施加高壓時靶材燒結(jié)溫度的下降加快了坯體致密化。然而，熱壓法效率低且對模具有較高要求，導(dǎo)致整體成本高、靶材晶粒不均、良品率低。

利用熱等靜壓法［22-23］（Hot Isostatic Pressing）可以有效提高靶材晶粒均勻度及致密度。熱等靜壓法與前面介紹的冷等靜壓法相似，素坯在燒結(jié)時受到各方向的壓力均勻，此過程中晶粒的生長方向均相同，制得致密均勻及異形的氧化物靶材。使用熱等靜壓工藝制造的氧化物靶材質(zhì)量被業(yè)界廣泛認(rèn)可，如德國萊博德公司的靶材是市面上質(zhì)量優(yōu)良的靶材之一［24］。中南大學(xué)張樹高［25］將粉體先在 200 MPa下冷等靜壓，然后在 1000 ℃、保壓壓力 128 MPa、保溫時間 3 h 條件下進(jìn)行熱等靜壓燒結(jié)，制得的 ITO靶材密度達(dá)到 99.5%。華中科技大學(xué)的陳曙光［26］等以熱等靜壓方式成功制備了密度大于 99.8% 的圓柱形 ITO 靶材。雖然熱等靜壓法可提高靶材的致密度，但是不足之處在于生產(chǎn)制備氧化物靶材的成本較髙。

相較于熱等靜壓法，由于常壓燒結(jié)工藝生產(chǎn)成本低而更適合工業(yè)化生產(chǎn)。常壓燒結(jié)法［27-29］是在一定氣氛（如氮?dú)?、氧氣和空氣）和溫度下對素坯燒結(jié)的方法。與前面兩種燒結(jié)工藝不同，常壓燒結(jié)不需要額外加壓，一般是通過調(diào)節(jié)氣氛和溫度來滿足不同靶材的燒結(jié)需求。值得一提的是，素坯性質(zhì)是影響常壓燒結(jié)靶材致密化和提高靶材的晶粒質(zhì)量及致 密度的重要因素。使用模壓等簡單成型方法制備出的靶材素坯，其坯體通常不夠均勻致密，在使用常壓燒結(jié)后容易出現(xiàn)開裂、密度較低的情況。由于受到素坯成型等工藝的限制，常壓燒結(jié)法在早期基本無法滿足氧化物靶材的制備要求，而隨著靶材素坯成型工藝的發(fā)展，如冷等靜壓、凝膠注模等成型技術(shù)的廣泛應(yīng)用，常壓燒結(jié)法成為了當(dāng)下工業(yè)生產(chǎn)高質(zhì)量 氧化物靶材的主流燒結(jié)工藝。孫文燕等［30］采用凝膠注模成型技術(shù)制備 ZnO 陶瓷坯體，并在較低溫度下常壓燒結(jié)后獲得相對密度達(dá) 98.6% 的 ZnO 靶材，同時發(fā)現(xiàn)適度提高燒結(jié)溫度可有效增加靶材相對密度（圖 7）。

目前，日本日礦、東曹等公司在常壓燒結(jié)方面擁有明顯的優(yōu)勢，日礦公司采用冷等靜壓法制得素坯，使用常壓燒結(jié)法來生產(chǎn) ITO 靶材，結(jié)果顯示靶材致密且良品率高；東曹公司使用注漿成型制備 素 坯 ，通 過 常 壓 燒 結(jié) 能 制 備 出 2200 mm×2500mm 的大尺寸靶材，且其相對密度高于 99.5%。程念等［31］研究了常壓燒結(jié) ITO 靶材時升溫速率對靶材密度及微觀組織的影響發(fā)現(xiàn)，在 1550 ℃氧氣氣氛下進(jìn)行燒結(jié)時，在低溫階段（0—500 ℃）升溫速率為3 ℃·min?1，高 溫 階 段（500—1550 ℃）升 溫 速 率 為8 ℃·min?1的條件下，可以得到相對密度為 99.58%的靶材，其孔洞少且宏觀上無裂紋。Chen 等［32］先將In2O3、Ga2O3和 ZnO 粉末研磨后進(jìn)行冷等靜壓成素坯，隨后在氧氣氣氛下常壓燒結(jié)制得了相對密度99.13% 的 IGZO 靶材，且元素分布與微觀結(jié)構(gòu)均勻（圖 8）。

與傳統(tǒng)常壓燒結(jié)相比，先快速加熱，然后在較低溫度下保溫一定時間的兩步燒結(jié)（TSS）制備的氧化物靶材晶粒尺寸更小、電阻率更低、密度更高。

Liu 等［33］使用注漿成型制得 IGZO 靶材素坯，然后將其快速升溫至 1450 ℃，再降至 1350 ℃并保溫 12 h，最后得到相對密度 99.5%、平均晶粒尺寸 5.81 μm、電阻率 2.31 ×10^?3 Ω·cm 的高質(zhì)量 IGZO 靶材，其濺射薄膜在可見光范圍內(nèi)具有 88% 透射率，以及0.6—0.7 nm 的 低 均 方 根（RMS）粗 糙 度 和 約 9×10^?3 Ω·cm 的 低 電 阻 率 。 文 獻(xiàn)［34-38］報 道 的 非 晶IGZO-111 和 IGZO-112 濺射薄膜的電阻率范圍分別為 5×10^?3—1×10⁴sup>Ω·cm 和 4×10^?3—1×10⁵ Ω·cm，具體取決于濺射參數(shù)。但常壓燒結(jié)要求粉體具有高燒結(jié)活性，并需要加入各種燒結(jié)助劑［39-41］。

燒結(jié)工藝的差異會在很大程度上影響靶材的密度、晶粒尺寸、化學(xué)組成、電阻率等各項參數(shù)［43］，進(jìn)而影響濺射薄膜的性能。氧化物靶材如 ITO 在高溫下可能會分解為低價氧化物（In2O 或者 SnO）等物質(zhì)，此過程會有氧氣釋放形成氣孔阻止靶材的致密化。華南理工大學(xué)蘭林鋒［44］等使用熱壓法制備IZO 靶材時發(fā)現(xiàn)，燒結(jié)溫度為 850 ℃時靶材呈致密化狀態(tài)，而當(dāng)溫度升至 900 ℃后 In2O3的揮發(fā)破壞了靶材燒結(jié)致密化。Wu 等［43］研究了摩爾分?jǐn)?shù)（In2O3∶Ga2O3∶ZnO）為 1∶1∶1 和 1∶1∶2 的 IGZO 靶材發(fā)現(xiàn)， 當(dāng)燒結(jié)溫度從 1400 ℃ 提高到 1500 ℃ 時，兩種靶材的孔隙率都有增加，主因是高溫下 In2O3與 ZnO 的揮發(fā)，而延長燒結(jié)時間也會破壞靶材晶體結(jié)構(gòu)，降低致密度并使電阻率上升。

由于燒結(jié)時需要通入氧氣或者空氣維持一定的氧壓，以阻止氧化物靶材的進(jìn)一步分解［45］。優(yōu)化燒結(jié)條件能有效提高靶材密度并降低晶粒尺寸，使用較高密度的氧化物靶材通?？梢灾苽涑鲚^低電阻率的薄膜［46］，此外薄膜的薄層電阻、透射率和均勻性也受到晶粒尺寸的顯著影響。Xu 等［47］研究了燒結(jié)工藝對 ITO 靶材的晶粒尺寸的影響發(fā)現(xiàn)，快速加熱和較短的保溫時間能得到直徑小于 10 μm 的小晶粒尺寸的靶材，其在濺射時膜厚波動小，可以提高薄膜可見光透射率的均勻性、降低平均薄層電阻并提高薄層電阻均勻性。SnO2均勻分布的 ITO 靶材，可以抑制濺射過程中的電弧現(xiàn)象和結(jié)瘤的產(chǎn)生［48］，同時 ITO 薄 膜 中 的 錫 含 量 對 電 導(dǎo) 率 調(diào) 節(jié) 非 常 重要［49-50］。 在 Xu［51］的 一 項 研 究 中 發(fā) 現(xiàn) ，ITO 靶 材 中SnO2含量的降低會導(dǎo)致靶材電阻率上升，而彎曲強(qiáng)度 和 密 度 下 降 。 Minami［52］和 Huang［53］等 研 究 了AZO 靶材的電性能對濺射薄膜性能的影響，結(jié)果表明具有較低電阻率的 AZO 靶材可制備更低電阻率且電阻率空間分布更均勻的薄膜。目前，報道［54-59］的 常 壓 燒 結(jié) 法 制 備 的 AZO 靶 材 的 相 對 密 度 為98.6%—99.8%、晶粒尺寸為 2.7—5.0 μm 和電阻率范圍 8.9×10?4—0.5 Ω·cm。Chen 等［60］研究了燒結(jié)溫度對 Ti 摻雜 ZnO（TZO）陶瓷靶材及其薄膜的影響發(fā)現(xiàn)，在 1300 ℃ 燒結(jié)的靶材濺射的薄膜相對光滑，并且具有較高的透光率（88.9%）和較低的電阻率（8.47×10?4 Ω·cm）。通過使用 TiO2-x 靶材可直流濺射制備 TNO 薄膜，其電阻率約為 1.3×10^?3 Ω·cm，在可見光范圍的透射率達(dá)到 70%［61］。

3、結(jié)語

氧化物陶瓷靶材是當(dāng)下濺射靶材行業(yè)中的研究熱點(diǎn)，是制備高性能氧化物功能薄膜的關(guān)鍵基材。隨著磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展，氧化物靶材逐漸向大尺寸、異形化、高致密方向發(fā)展。素坯成型及燒結(jié)的工藝是靶材制備工序中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，二者的工藝在很大程度上決定了靶材的品質(zhì)及生產(chǎn)成本。近年來，半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)在我國國民經(jīng)濟(jì)的比重不斷提升，其中顯示面板產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展不斷牽動著上游裝備制造與光電材料技術(shù)突破。然而掌握先進(jìn)氧化物靶材制備工藝的國家大多實(shí)行技術(shù)封鎖，國內(nèi)各廠商生產(chǎn)的靶材質(zhì)量將在很長一段時間內(nèi)都無法滿足高端顯示面板產(chǎn)業(yè)的需求，我國氧化物靶材依賴進(jìn)口［62］。而 ITO、AZO、ZnO、IGZO 等氧化物靶材作為生產(chǎn)高性能導(dǎo)電薄膜的關(guān)鍵原料，其產(chǎn)業(yè)化對于我國擺脫國外上游配套原料壟斷具有重要意義。

鼓勵支持我國本土靶材生產(chǎn)企業(yè)研發(fā)氧化物陶瓷靶材，必將會給半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇。

參考文獻(xiàn)：

［1］陳海峰，薛瑩潔 .國內(nèi)外磁控濺射靶材的研究進(jìn)展［J］.表面技術(shù)，2016，45（10）：56-63.

［2］童義平，賴秀紅，黃秀娟 .AZO 超高致密度化工藝研究［J］.中國陶瓷工業(yè)，2013，20（2）：8-10.

［3］魯燕萍 .陶瓷冷等靜壓成型技術(shù)［J］.真空電子技術(shù)，2011（4）：31-34.

［4］劉志宏，諶偉，李玉虎，等 .成型壓力對冷等靜壓-燒結(jié)法制備 ITO 靶材中孔隙缺陷的影響［J］.中國有色金屬學(xué)報，2015，25（9）：2435-2444.

［5］張明杰，陳敬超，彭平，等 .不同冷等靜壓壓力對 ITO 靶材性能影響的研究［J］.化工新型材料，2015，43（5）：117-119.

［6］單靜靜 .氧化鎵粉體及其高致密靶材的制備研究［D］.武漢：華中科技大學(xué)，2018.

［7］劉斌，馬瑞新，邵偉，高貴華 .氧化鋅鋁濺射靶材及其薄膜的制備［M］.北京：中國學(xué)術(shù)期刊電子出版社，2005：424-427.

［8］大橋建夫，熊原吉一 .銦錫氧化物濺射靶：CN1365398［P］.2002-08-21.

［9］盧信沖，謝志銘，陳逸杰，等 .濺鍍靶材的制造方法：CN101045986［P］.2007-10-03.

［10］鐘景明，岳坤，孫本雙，等 .粉漿澆注制備大尺寸 ITO 靶材工藝［J］.中國有色金屬學(xué)報，2014，24（9）：2333-2338.

［11］周賢界，惠浩 .高性能氧化物陶瓷靶材的壓力注漿成型工藝及應(yīng)用［J］.電工材料，2015（3）：34-38.

［12］孫宜華 .AZO 透明導(dǎo)電氧化物靶材及其薄膜制備的研究［D］.武漢：華中科技大學(xué)，2009.

［13］王松，謝明，王塞北，等 .高密度氧化銦錫（ITO）靶材制備工藝的研究進(jìn)展［J］.材料導(dǎo)報，2013，27（S1）：207-210.

［14］邵莊，余柄峰 .凝膠注模法制備多孔氧化鋁陶瓷的研究［J］.中國陶瓷，2007（10）：50-52.

［15］周東祥，歐陽俊，鄭志平，等 .微波陶瓷凝膠注模成型工藝研究［J］.壓電與聲光，2005（6）：685-687.

［16］JIA C，LIU W，GUO Z.Application of the gel castingprocess in iron powder metallurgy［J］.Journal of University of Science and Technology Beijing，Mineral，Metallurgy，Material，2006，13（1）：29-33.

［17］GUO D，CAI K，LI L，et al.Application of gelcasting tothe fabrication of piezoelectric ceramic parts［J］.Journal of the European Ceramic Society，2003，23（7）：1131-1137.

［18］楊碩，張秀勤，王政紅，等 .一種凝膠注模成型技術(shù)制備ITO靶材的方法：CN102432282B［P］.2013-06-19.

［19］王科 .氧化銦錫陶瓷的凝膠注模成型工藝研究［D］.長沙：中南大學(xué)，2014.

［20］MONTANARO L， COPPOLA B， PALMERO P，et al.A review on aqueous gelcasting：A versatile and low-toxic technique to shape ceramics［J］.Ceramics International，2019，45（7）：9653-9673.

［21］楊碩，劉冠鵬，張秀勤，等 .凝膠注模技術(shù)制備高密度ITO 靶 材 的 研 究［J］.稀 有 金 屬 材 料 與 工 程 ，2012，41（S2）：312-315.

［22］馬?？?.等靜壓技術(shù)［M］.北京：冶金工業(yè)出版社，1992.

［23］WEIGERT M，KONIETZKA U，GEHMAN B.Target for cathode sputtering and method of its production：US480531［P］.1996-1-2.

［24］董雪振，吳任平 .鋁摻雜氧化鋅（AZO）廢棄靶材回收再利用的研究［J］.材料導(dǎo)報，2015，29（2）：105-109.

［25］張樹高，扈百直，吳義成，等 .銦錫氧化物陶瓷靶材熱等靜壓致密化研究［J］.功能材料，2000（4）：383-387.

［26］陳曙光 .銦錫氧化物（ITO）粉體及高性能 ITO 靶材的制備與研究［D］.武漢：華中科技大學(xué)，2005.

［27］GEHMAN B L，JONSSON S，RUDOLPH T，et al.Influence of manufacturing process of indium tin oxide sputtering targets on sputtering behavior［J］.Thin SolidFilms，1992，220（1）：333-336.

［28］KIM B，LEE J，KIM J，et al.Rapid rate sintering ofnanocrystalline indium tin oxide ceramics：particle size effect［J］.Materials Letters，2002，52（1）：114-119.

［29］KIM S，SEO K，LEE J，et al.Preparation and sintering of nanocrystalline ITO powders with different SnO2 content［J］.Journal of the European Ceramic Society，2006，26（1）：73-80

［30］孫文燕，王日初，王小鋒，等 .常壓燒結(jié)法制備 ZnO 陶瓷靶材［J］.中國有色金屬學(xué)報，2015，25（6）：1625-1633.

［31］程念，劉家祥 .升溫速率對燒結(jié) ITO靶材密度和組織的影響［J］.稀有金屬材料與工程，2013，42（4）：857-860.

［32］CHEN J，ZHONG J，LUO W，et al.Study on powder preparation of IGZO target and its effect on sintering［J］.Journal of Alloys and Compounds，2019，800：468-477.

［33］LIU Y，SUN B，SHU Y，et al.Preparation of superior IGZO ceramics by two-step sintering for application in IGZOthin film fabrication［J］.Journal of Materials Research andTechnology，2020，9（3）：5331-5342.

［34］JUNG C H，KANG H I，YOON D H.The electrical，optical， and structural properties of amorphous indiumgallium zinc oxide films and channel thin-film transistors［J］.Solid-State Electronics，2013，79：125-129.

［35］LEE Y，DAI Z，LIN C，et al.Relationships between the crystalline phase of an IGZO target and electrical properties of a-IGZO channel film［J］.Ceramics International，2012，38：S595-S599.

［36］GADRE M J，ALFORD T L.Highest transmittance and highmobility amorphous indium gallium zinc oxide films on flexible substrate by room-temperature deposition and post-depositionanneals［J］.Applied Physics Letters，2011，99（5）：51901.

［37］AOI T，OKA N，SATO Y，et al.DC sputter deposition of amorphous indium-gallium-zinc-oxide（a-IGZO）films with H2O introduction［J］.Thin Solid Films，2010，518（11）：3004-3007.

［38］DU AHN B，SHIN H S，KIM G H，et al.A novel amorphous InGaZnO thin film transistor structure without source/drain layer deposition ［J］.Japanese Journal of Applied Physics，2009，48（3S2）：3B-19B.

［39］SHIN Y， KANG S， LEE S， et al.Near infra-red transparent Mo-doped In2O3 by hetero targets sputtering for phosphorescent organic light emitting diodes［J］.Organic Electronics，2013，14（3）：926-933.

［40］冉紹兵，樊剛，張家濤 .Nd 摻雜對 ITO 粉體性能的影響［J］.功能材料與器件學(xué)報，2007（5）：476-480.

［41］MURAOKA M， SUZUKI M， SAWADA Y， et al.Sintering of tin-doped indium oxide （Indium-Tin-Oxide，ITO）with Bi2O3 additive［J］.Journal of Materials Science，1998，33（23）：5621-5624.

［42］CHEN J，ZHONG J，LUO W，et al.Study on powder preparation of IGZO target and its effect on sintering［J］.Journal of Alloys and Compounds，2019，800：468-477.

［43］WU M，CHANG S，CHAUNG W，et al.Preparation and sintering of indium-gallium-zinc oxide ceramics with different zinc oxide contents［J］.Journal of the European Ceramic Society，2015，35（14）：3893-3902.

［44］宋二龍，蘭林鋒，林振國，等.熱壓燒結(jié)靶材制備氧化銦鋅薄膜晶體管［J］.物理化學(xué)學(xué)報，2017，33（10）：2092-2098.

［45］KIM B， LEE J， KIM J， et al.Densification of nanocrystalline ITO powders in fast firing： Effect of specimen mass and sintering atmosphere［J］.Materials

Research Bulletin，2005，40（2）：395-404.

［46］UTSUMI K，MATSUNAGA O，TAKAHATA T.Low resistivity ITO film prepared using the ultra high density ITO target［J］.Thin Solid Films，1998，334（1）：30-34.

［47］XU J，YANG Z，ZHANG X，et al.Grain size control in ITO targets and its effect on electrical and optical properties of deposited ITO films［J］.Journal of Materials Science：Materials in Electronics，2014，25（2）：710-716.

［48］OMATA T，KITA M，OKADA H，et al.Characterization of indium – tin oxide sputtering targets showing various densities of nodule formation［J］.Thin Solid Films，2006，503（1）：22-28.

［49］UNTILA G G，KOST T N，CHEBOTAREVA A B，et al.Effect of the tin content on the composition and optical and electrical properties of ITO films deposited onto siliconand glass by ultrasonic spray pyrolysis［J］.Semiconductors，2012，46（7）：962-968.

［50］BISWAS P K，DE A，ORTNER K，et al.Study of sol-gelderived high tin content indium tin oxide（ITO） films on silica-coated soda lime silica glass［J］.Materials Letters，2004，58（10）：1540-1545.

［51］XU J，YANG L，WANG H，et al.Sintering behavior and refining grains of high density tin doped indium oxide targets with low tin oxide content［J］.Journal of Materials Science：Materials in Electronics，2016，27（4）：3298-3304.

［52］MINAMI T，ODA J，NOMOTO J，et al.Effect of target properties on transparent conducting impurity-doped ZnO thin films deposited by DC magnetron sputtering［J］.Thin Solid Films，2010，519（1）：385-390.

［53］HUANG H S，TUNG H C，CHIU C H，et al.Highly conductive alumina-added ZnO ceramic target prepared by reduction sintering and its effects on the properties of deposited thin films by direct current magnetron sputtering ［J］.Thin Solid Films，2010，518（21）：6071-6075.

［54］HUANG H S，TUNG H C，CHIU C H，et al.Highly conductive alumina-added ZnO ceramic target prepared by reduction sintering and its effects on the properties of deposited thin films by direct current magnetron sputtering ［J］.Thin Solid Films，2010，518（21）：6071-6075.

［55］WEI T，ZHANG Y，YANG Y，et al.Effects of ZnAl2O4  segregation in high temperature sintered Al-doped ZnO sputtering target on optical and electrical properties of deposited thin films［J］.Surface and Coatings Technology，2013，221：201-206.

［56］ZHANG J，ZHANG W，ZHAO E，et al.Study of highdensity AZO ceramic target ［J］.Materials Science in Semiconductor Processing，2011，14（3）：189-192.

［57］WU M，LIU D，SU Y.The densification，microstructure，and electrical properties of aluminum-doped zinc oxide sputtering target for transparent conductive oxide film［J］.Journal of the European Ceramic Society，2012，32（12）：3265-3275.

［58］LIU C P，JENG G R.Properties of aluminum doped zinc oxide materials and sputtering thin films［J］.Journal of Alloys and Compounds，2009，468（1）：343-349.

［59］LIU J，ZHANG W，SONG D，et al.Comparative study of the sintering process and thin film sputtering of AZO，GZO and AGZO ceramics targets［J］.Ceramics International，2014，40（8）：12905-12915.

［60］CHEN Z，LI F，CHEN X，et al.Influence of sintering temperatures of ceramic targets on microstructures and photoelectric properties of titanium-doped ZnO nano-films ［J］.Journal of Materials Science：Materials in Electronics，2017，28（6）：4654-4660.

［61］SATO Y， AKIZUKI H， KAMIYAMA T， et al.Transparent conductive Nb-doped TiO2 films deposited by direct-current magnetron sputtering using a TiO2-x target［J］.Thin Solid Films，2008，516（17）：5758-5762.

［62］楊揚(yáng)，王振華，謝夢 .國內(nèi)氧化銦錫靶材廠商的機(jī)遇與挑戰(zhàn)［J］.新材料產(chǎn)業(yè)，2020（2）：54-57.

相關(guān)鏈接